关于公开征求《多晶硅安全生产规范》
（征求意见稿）意见的函
为落实全国危险化学品安全风险集中治理方案部署，强化多晶硅安全风险管控，应急管理部危化监管一司组织制定了《多晶硅安全生产规范》（征求意见稿）和编制说明（分别见附件1、2），根据《应急管理标准化工作管理办法》规定，现向社会公开征求意见。此次公开征求意见时间为即日起至2022年11月29日，反馈意见请填写征求意见表（见附件3）后发送至指定电子邮箱（[email protected]）。
联系人及电话：汤天乙，010-64464406。
附件：
3.征求意见表
应急管理部危化监管一司
2022年9月29日
以下是征求意见稿正文
1 范围
本文件界定了采用三氯氢硅还原法生产多晶硅的术语和定义，规定了企业从设计到生产全过程的安全技术基本要求，包括设计与总图布局中的安全要求、生产过程的安全要求。
本文件适用于采用三氯氢硅还原法工艺技术生产多晶硅的企业。
采用其他工艺技术生产多晶硅的生产企业可参照执行。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GBZ/T 223 工作场所有毒气体检测报警装置设置规范
GB 2894 安全标志及其使用导则
GB 5083 生产设备安全卫生设计总则
GB 7231 工业管道的基本识别色、识别符号和安全标识
GB 12158 防止静电事故通用导则
GB 15577 粉尘防爆安全规程
GB 16297 大气污染物综合排放标准
GB/T 38144.1 眼面部防护 应急喷淋和洗眼设备 第1部分：技术要求
GB/T 38144.2 眼面部防护 应急喷淋和洗眼设备 第2部分：使用指南
GB 50016 建筑设计防火规范
GB 50057 建筑物防雷设计规范
GB 50058 爆炸危险环境电力装置设计规范
GB 50073 洁净厂房设计规范
GB 50140 建筑灭火器配置设计规范
GB 50160 石油化工企业设计防火标准
GB 50177 氢气站设计规范
GB 50257 爆炸和火灾危险环境电力装置施工及验收规范
GB 50316 工业金属管道设计规范
GB 50351 储罐区防火堤设计规范
GB 50370 气体灭火系统设计规范
GB/T 50493 石油化工可燃气体和有毒气体检测报警设计标准
GB 50650 石油化工装置防雷设计规范
GB 50974 消防给水及消火栓系统技术规范
GB 51034 多晶硅工厂设计规范
GB 51283 精细化工企业工程设计防火标准
AQ 3013 危险化学品从业单位安全标准化通用规范
HG/T 21581 自控安装图册
SH/T 3097 石油化工静电接地设计规范
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
多晶硅 polycrystalline silicon
单质硅的一种形态，硅原子以晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，晶粒组合结晶成多晶硅。
3.2
三氯氢硅还原法trichlorosilanehydrogenreduction process
在一定温度下的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，在硅芯上沉积生长多晶硅；同时具备回收、利用生产过程中伴随产生的氢气、氯化氢、四氯化硅等副产物以及副产热能，最大限度地实现“物料内部循环、能量综合利用”的多晶硅生产工艺。
3.3
还原炉[1] reduction furnace
一种生产棒状多晶硅的专用化学气相沉积设备。
3.4
氯硅烷 chlorosilane
硅烷（SiH4）中的氢原子部分或全部被氯原子取代后的物质统称。通常包括SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl等。
3.5
还原尾气 reduction off-gas
在还原炉内生成多晶硅的反应过程中，未反应完全的原料和生成的副产物的混合气体，主要包括氢气、气态氯硅烷及氯化氢、不定型硅等。
3.6
二氯二氢硅反歧化dichlorodihydrosilicon anti-disproportionation reaction
二氯二氢硅和四氯化硅在一定温度和催化剂作用下生成三氯氢硅的反应。
3.7
主工艺物料系统 main process material system
包括氯硅烷提纯系统、还原系统、还原尾气干法回收系统、三氯氢硅合成系统、四氯化硅氢化系统、二氯二氢硅反歧化系统、废气淋洗系统、渣浆回收系统、氯硅烷罐区。
4 设计与总图布局
4.1基本规定
4.1.1 多晶硅生产企业的新建、改建、扩建项目，安全设施应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入生产和使用。
4.1.2 用于生产、储存危险化学品的多晶硅生产企业应当对建设项目进行安全条件论证，委托具有国家规定资质条件的机构对建设项目进行安全评价。
4.1.3多晶硅生产企业用于生产、储存危险化学品的建设项目应委托具有工程设计综合资质甲级或者化工石化专业资质甲级的设计单位负责设计。
4.1.4 多晶硅生产企业用于生产、储存危险化学品的建设项目应委托具有化工建设相应资质的建设单位负责施工。
4.2 总平面布置
4.2.1 多晶硅生产企业的总平面布置应符合GB 51034的有关规定。
4.2.2 厂区消防通道设计应符合GB 50016和GB 50160的有关规定。
4.2.3 多晶硅生产企业的总平面布置应根据生产工艺流程、生产特点和火灾危险性，结合地形、风向等条件，按功能集中原则分区布置，可分为生产区、公用工程及辅助设施区、储运区、集中控制区、行政办公区。
4.3 工艺及生产装置
4.3.1 工艺流程选择、设备选型及工艺布置，应根据多晶硅生产主要物料的易燃易爆、有毒及火灾危险等危害特性确定，选择符合国家标准、安全可靠的工艺设备和流程。安全设备设施的设计、制造、安装、使用、检测、维修等应符合国家有关标准的规定。
4.3.2 工艺生产系统内的设备、管道的材质以及管阀件，应根据物料性质和工况条件选取，并应采取相应的安全防护措施；金属管道的材料、组成件的选用、布置应符合GB 50316的要求。
4.3.3 生产设备应具备基本安全功能，符合GB 5083的通用安全要求。锅炉、压力容器、压力管道、电梯、电动葫芦、供垂直运输物品的升降机、叉车等特种设备应当符合国家有关法规和标准的要求。
4.3.4 工业管道的识别色、识别符号、安全标识应符合GB 7231和GB 2894的要求。
4.3.5 生产工艺排放点均应设放空装置，并定期检查其有效性。当通过排气筒、放空管直接向大气排放无环境污染的放空气时，排气筒、放空管的高度应符合GB 50160的有关规定。不应将导出管置于下水道等限制性空间，以免引起爆炸。放空管宜选用金属材料或者采取防静电措施的非金属材料。放空管上应设有阻火设施，应静电接地。管口上应有挡雨、阻雪的措施。可燃气体连续对空排放管道应安装氮气置换管道。
4.3.6 液氯汽化工序宜使用盘管式或套管式汽化器的液氯全汽化工艺，液氯汽化温度不应低于71℃，建议热水温度应控制在75℃～85℃。不应将液氯贮槽（罐）、罐车或半挂车槽罐直接作为液氯汽化器使用。液氯汽化器、预冷器及热交换器等设备，应装有排污（NCl3)装置和污物处理设施，并定期分析 NCl3含量，排污物中NCl3含量不应大于60 g/L，否则需增加排污次数和排污量，并加强监测。
4.3.7 主工艺物料系统应设安全阀、爆破片、事故紧急排放、氮气稀释灭火等安全设施。还原炉夹套冷却、三氯氢硅合成炉冷却、天然气制氢转化炉夹套冷却等系统应设置安全阀等安全设施。
4.3.8 硅芯制备采用区熔法拉制工艺时，宜设置电磁屏蔽。
4.3.9 腐蚀清洗工序的腐蚀清洗设备内，酸腐蚀部位应设置强制通风，废气应处理达标后再排放；输送强酸的管道应采用双层套管，外层宜采用透明聚氯乙烯(PVC)管等防腐蚀、防喷溅措施。
4.3.10 液氯汽化、氯化氢与三氯氢硅合成、储罐区、四氯化硅氢化、提纯、还原尾气干法回收、渣浆回收等存有氯气、氯硅烷的装置区域内应参照GB/T 38144.1和GB/T 38144.2相关条款设置冲洗和洗眼设施。
4.3.11 有爆炸危险的甲、乙类火灾危险性的设备宜露天或半露天布置，但有工艺洁净要求或有防冻、防风沙限制的设备的多晶硅还原、电解水制氢等装置采取抗爆泄爆措施后可布置在封闭建筑内。
4.3.12 涉及氯硅烷的系统宜采用气密试验；若采用水压试验，试验后应对系统进行干燥，达到露点≤-40℃。
4.4 防火、防爆设计与安全疏散
4.4.1 厂房和库房的防火分区、疏散口布置及疏散距离应符合GB 50016的有关规定；厂房洁净区的防火设计应符合GB 50073的有关规定。
4.4.2 当装置框架为钢结构时，钢结构的耐火保护应符合GB 50160的有关规定。
4.4.3 罐区的防火堤设计应符合GB 50351的有关规定。
4.4.4 甲、乙、丙类多层厂房内各层由不同功能房间组成时，宜按层划分防火分区，疏散楼梯应采用封闭楼梯间或室外楼梯。封闭楼梯间和室外楼梯的设计应按GB 50016的规定执行，封闭楼梯间的门应为乙级防火门，且应向疏散方向开启，双扇门应具备顺序启闭功能。
4.4.5 同一防火分区内有不同性质的物料生产时，其火灾分类，应按火灾危险性较大的部分确定。多晶硅生产火灾危险性分类见附录A。
4.4.6 爆炸危险区域的划分应按GB 50058的有关规定执行。有爆炸危险的甲、乙类厂房泄压面积的设置应按GB 50016的有关规定执行，并应对人员安全疏散采取防护措施。
4.4.7 还原炉室等甲类火灾危险性且有防爆要求的厂房内不应设置办公室、休息室、巡检室。如需要设置更衣室、工具室、卫生间等辅助房间，这些辅助房间应设置在还原炉室端墙贴邻一侧，并应采用耐火极限不低于4.0h的不燃体防爆防护墙与还原炉室分隔；当防爆防护墙兼防火墙时，耐火极限不低于4.0h。
4.4.8 还原系统的变压器室、调功器室、高压启动室、炉体冷却水系统等辅助房间，应与还原炉室布置在不同的隔间或防火分区内，并应采取防火墙、防爆防护墙、防火楼板分隔，平面布置应符合GB 50016的有关规定。
4.4.9 还原炉室应采用泄爆墙及带有通风设施的泄压屋面。外墙与屋面泄压面积应符合下列规定：
a）泄压面积应符合GB 50016 的有关规定；
b）泄压设施应采用易于脱落的轻质屋盖、易于泄压的门和窗及轻质墙体。作为泄压面积的轻质墙体及轻质屋面板自重不得超过60kg/㎡，材料的燃烧性能等级应为A级；
c）当泄压设施的材质不属于易碎性材料，泄爆设置应避开人员密集场所和主要交通道路。
4.4.10 制氢装置房间与其它辅助房间应用防爆防护墙分隔，制氢装置房间应设置泄压屋面或墙面，泄压面积计算和设置要求应符合GB 50016的有关规定，同时满足GB50177的有关规定。
4.4.11 中心控制室同其它建筑贴邻建造时应划分成独立的防火分区。当贴邻的建筑位于爆炸危险区域时，应采取防爆防护措施，建筑的安全出口不应正对有爆炸危险的装置。
4.4.12 下列场所可不计入建筑防火分区内：
a）防烟楼梯间及其前室;
b） 消防电梯前室及其合用前室；
c）设置甲级防火门的封闭楼梯间、敞开连廊。
4.4.13 变配电所不应设置在甲、乙类厂房内或贴邻建造，且不应设置在爆炸性气体、粉尘环境的危险区域内。供甲、乙类厂房专用的20kV及以下的变配电所，当采用无门窗洞口的防火墙隔开并贴邻建造时，应符合下列规定：
a）有含油设备的变配电所可一面贴邻建造；
b）无油设备的变配电所可一面或两面贴邻建造。
4.4.14 因工艺生产的特性需求，联合厂房相邻外墙需设置连通口时，应采取相应的防火措施，相邻外墙的防火间距及构造要求应符合GB 50016及GB 51283的有关规定。
4.5电气设施
4.5.1 防雷、防静电
4.5.1.1 生产作业场所的各类建、构筑物应设置防雷设施。防雷措施及防雷装置应符合GB 50057和GB 50650的要求。防雷设施应由有资质的单位进行设计、安装和检测。
4.5.1.2 生产作业场所内可能产生静电危害的设备及管道，应按GB 12158和SH/T 3097的要求采取工业防静电接地措施。使用、储存、输送、装卸、运输易燃易爆物品（各类溶剂、氯硅烷、导热油、产生可燃性粉料等）的装置（反应器、提纯塔、换热容器、储罐、输送泵、装卸设施和过滤器、易燃液体、气体管道阀门等）、装卸场所以及产生静电积累易燃易爆的生产设施岗位应有静电接地措施。各专设的静电接地电阻值不应大于100Ω。
4.5.1.3 制氢装置、氢气储罐区、氢气压缩机房、氯硅烷罐区等重点爆炸危险区域的入口处，应设置人体静电消除装置。
4.5.2 防火、防爆、电气安全
4.5.2.1 爆炸危险区域的划分应根据工艺装置特点确定，并应符合GB 50058的有关规定。
4.5.2.2 制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、氯硅烷分离提纯装置、三氯氢硅还原装置、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化装置、氢气和氯硅烷罐区等爆炸性气体环境中电气装置的选型应符合GB 50058的有关要求。硅粉库中若硅粉采用吨袋等密封包装，且转运、存储过程中无拆卸包装裸露硅粉的情况，该硅粉库内用电设备可不考虑粉尘防爆和气体防爆；若存在粉尘爆炸环境，或扬尘可导致二次爆炸环境，电气设施应满足粉尘防爆环境要求。
4.5.2.3 爆炸危险场所的电气设备和线路的设计和安装应符合GB 50058和GB 50257的规定。
4.5.2.4 各种场所的电气设施防爆等级见附录A。
4.5.2.5 控制室DCS系统、火灾报警系统、监控系统、呼叫对讲系统、应急照明系统、消防稳压泵、消防排烟风机、还原炉体冷却水泵、还原炉底盘冷却水泵、还原炉电极冷却水泵、回收洗涤液循环泵、整理装置废气洗涤系统、工艺废气洗涤循环泵等应属于一级负荷，由双重电源供电。
4.5.2.6 还原炉电极冷却水泵、整理装置废气洗涤系统、工艺废气洗涤循环泵、消防稳压泵、消防排烟风机等用电负荷，应属于一级负荷中的特别重要负荷，除应由双电源供电外，尚应增设应急电源。
4.6 过程自动控制
4.6.1 中心控制室及装置控制室应设置不间断电源（UPS），连续供电时间不应小于30 min。
4.6.2 制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、还原炉室、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化装置、氢气和氯硅烷罐区、氢气压缩机房等爆炸危险区域内，应按GB/T 50493和GBZ/T 223的要求设置可燃气体及有毒气体检测报警仪。
4.6.3 可燃气体和有毒气体检测报警信号应送至24小时有人值守的现场控制室、中心控制室等进行显示报警；可燃气体二级报警信号、可燃气体和有毒气体检测报警系统报警控制单元的故障信号应送至消防控制室。
4.6.4 易燃易爆装置内的保护管与仪表、检测元件、电气设备、接线箱、接线盒等应当符合HG/T 21581或GB 50257的有关要求。
4.6.5 氯硅烷罐区、还原炉室、冷氢化装置和重大危险源等场所应设置视频监控系统，并根据爆炸危险区域的划分采用适用等级的防爆视频监控设备。
4.6.6 二氯二氢硅、三氯氢硅等易燃液体不应使用玻璃管液位计。
4.6.7 四氯化硅氢化加热器和导热油加热器温度控制装置宜采用冗余配置，并定期校验。氢化反应器及系统中的安全附件、安全保护装置、测量调控装置及有关附属仪器应完整、齐全、有效。
4.6.8 三氯氢硅合成、还原、四氯化硅氢化、还原尾气干法回收、电解水制氢、氯硅烷罐区等装置区内，应根据物料的危害特性和工况条件设置仪表检测报警、自动联锁保护系统、消防应急联动系统。
4.6.9 生产现场主要出入口处及有人巡检操作且可能出现可燃、有毒气体积聚的相对封闭的场所，应设置区域声光报警器。
4.6.10 构成一级、二级重大危险源的罐区应能实现紧急切断功能；涉及毒性气体、液化气体、剧毒液体的一级、二级重大危险源的罐区应配备独立的安全仪表系统。
4.7 消防设施
4.7.1 多晶硅工厂应按GB 50016、GB 50160、GB 50974、GB 50370和GB 50140的有关规定设置消防设施。
4.7.2 制氢装置、氯硅烷罐区、四氯化硅氢化装置、还原炉室、还原尾气干法回收等主要火灾危险场所以及公用工程辅助设施区应设置火灾报警系统，并配备灭火设施。
4.7.3 多晶硅工厂应设置稳高压消防给水系统。
4.7.4 装置区、储罐区应按GB 50160的有关规定设置固定式消防水炮。氯硅烷罐区不宜采用固定式水喷雾（水喷淋）系统和移动式消防冷却水系统。
4.7.5 三氯氢硅合成装置、还原厂房、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化装置、氯硅烷储罐区等涉及氯硅烷物料的装置和硅粉库应配置消防干砂。氯硅烷储罐区砂箱容量不应少于2m³/套，其余装置砂箱容量不应少于1m³/套。
4.7.6 还原厂房的调功柜室宜设置气体灭火系统，并应符合GB 50370的有关规定。
4.7.7 厂房的洁净区消防设施按GB 50073执行。
4.7.8 生产作业场所应按GB 50140的规定根据火源及着火物质性质，配备适当种类、足够数量的消防器材，并定期检查，保持有效状态。扑救初期三氯氢硅、二氯二氢硅等甲、乙、丙类液体应选用干粉灭火器或干砂，同时配备氮气管线用于应急。
4.8 通风与排烟
4.8.1 生产过程中产生粉尘、可燃有毒气体或烟尘的作业场所，无组织排放至室外不符合GB 16297及其他相关排放标准时，应设机械通风，在排放前应采取净化措施，并应达到相关污染物排放标准的要求。多晶硅生产场所空气中主要有毒物质及粉尘容许浓度、多晶硅生产过程中的危险、有害因素分别见附录B、附录C。
4.8.2 防排烟系统的设计应符合GB 50016的有关规定。
4.8.3 还原炉室房间相对于非防爆区，如更衣间、与后处理车间的洁净连廊等，应保持微负压，局部排风与整体排风应符合下列规定：
a) 还原炉室应设局部排风、整体排风与事故排风系统，总排风量不应小于12次/h换气次数；
b) 排风机应符合防爆要求，事故风机电源应接入应急电源，应与可燃有毒报警仪联锁；
c) 事故排风机宜设备用风机；
d) 事故吸风口上缘至顶板的距离不应大于0.1m；
e) 风管应采取防静电接地措施。
4.8.4 腐蚀清洗、配酸柜等工序排出的酸性废气，应采用局部排风，所含酸性废气应采用酸雾净化塔进行处理。
4.8.5 喷砂、硅棒破碎等产生粉尘的生产工艺，应设置过滤除尘系统，并按GB 15577设置粉尘防爆措施。
4.8.6 硅芯炉泵房、石墨煅烧炉泵房等应设置整体排风系统，通风换气次数应大于等于6次/h。
4.8.7 洁净区排风管上应采取防止室外空气倒灌的措施。
4.8.8 各动力站房应有良好的通风措施，宜采用自然通风；当自然通风不能满足生产或安全、卫生要求时，应设置机械通风或自然通风与机械通风联合的通风方式。
4.9 危险化学品储存
4.9.1氯硅烷罐区应按照该罐区单个最大储罐的容积设置事故储罐。
4.9.2 储存氯硅烷的储罐，宜设置惰性气体密封保护系统。若工艺要求设置氢气密封保护系统的，应同时设置氮气保护系统，紧急情况下应能远程控制通入氮气，氮气管道应设置防物料互串设施。
5 生产过程安全
5.1 一般规定
5.1.1 企业应当根据工艺、装置、设施等实际情况，建立健全安全生产责任制和安全生产规章制度，主要的安全生产规章制度参见附录D。
5.1.2 企业应按附录E，每年开展重大生产安全事故隐患排查，及时消除重大生产安全事故隐患，有效防范遏制重特大生产安全事故。
5.1.3 企业应在工艺投产或投用前，组织编制操作规程。
5.1.4 企业应将操作规程发放到相关岗位，并对有关人员进行专门培训，经考核合格后，方可上岗。
5.1.5企业应明确评审和修订安全生产规章制度和操作规程的时机和频次，定期进行评审和修订，确保其有效性和适用性。
5.1.6 企业操作人员应严格执行操作规程，对工艺参数运行出现的偏离情况及时分析调整，保证工艺参数控制不超出安全限值，偏差及时得到纠正。
5.1.7 企业应仔细核对、严格控制多晶硅生产的工艺技术指标，重要的控制指标应设管理控制点。更改指标应有相应的工艺变更手续。
5.1.8 企业应按照安全操作规程进行生产设备的操作。
5.1.9 在多晶硅系统运行过程中，需要对稳压的储罐和塔器补充其所使用的高纯氢气。同时设置氮气保护系统，紧急情况下应能远程控制通入氮气，氮气管道应设置防物料互串设施。
5.1.10 企业应建立氮气安全使用管理制度。
5.1.11 企业应对输送含硅粉、渣浆等物料的易磨损管线、设备壁厚进行定期检测，避免因磨损发生泄漏。
5.1.12 企业应根据岗位职业病危害因素和安全风险辨识及评价情况，按呼吸防护、面部防护等标准，制定劳动防护用品配发和管理制度。具体应包含但不限于：
a）进行硅粉添加、硅粉排放、石墨处理、硅块破碎等粉尘环境作业时，应穿戴防尘服、防尘口罩；
b）涉及到液相物料的管线打开，物料添加等作业时，应配戴护目镜、面罩、耐酸碱手套、耐酸碱鞋、防化服；
c）进入涉及危化品的受限空间，除根据物料特性应穿戴防护用品外，应使用长管式呼吸器，并设置正压式送风机等通风设施；
d）进入爆炸危险性装置，应穿防静电服装，随身携带应急防护用品；
e）其他劳动防护管理应符合国家及地方相关标准。
5.1.13 企业应开展劳动防护用品使用培训，对不使用或不正确使用劳动防护用品的人员进行考核。
5.1.14 大型多晶硅企业应建立专职消防队。中小多晶硅企业，若园区或相邻企业有专职消防队，且消防应急救援人员能在5分钟之内到达企业范围内的，可委托其他消防队作为企业应急救援队，但企业要与之签订相关服务合同，若不能签订相关合同，或其他消防队应急救援人员不能在5分钟之内到达，中小型也应建立专职消防队。在岗专职消防队员应包含消防车驾驶员、输水员、灭火等人员，且不能低于8人，消防监控室应24小时有人值守。
5.1.15 企业应建立工艺处置队，工艺处置队应由技术、设备、仪表、电气等各专业人员和生产一线员工组成，能满足最大风险的应急抢险需要。企业应定期开展训练、应急救援演练、并定期进行考核，淘汰更换不符合要求的队员。
5.2 生产装置开车基本要求
5.2.1 系统开车前应按AQ 3013规定的内容组织检查，进行安全条件确认。
5.2.2 进料前应确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常投用。
5.2.3 应检查并确认水、电、汽（气）符合开车要求，设备及其安全附件完好，各种原料、辅料的供应必须齐备、合格，投料前必须进行分析验证。
5.2.4 应检查阀门开闭状态及盲板抽加情况,保证装置流程畅通，各种机电设备及电气仪表等均应处在完好状态。
5.2.5 保温、保压及洗净的设备应符合开车要求，必要时应重新置换、清洗和分析合格。
5.2.6 开车过程中应加强有关岗位之间的联络，严格按照操作规程（或作业指导书）的要求操作。严格遵守升降温、升降压和加减负荷的幅度（速率）要求。
5.2.7 开车过程中应密切观察工艺的变化和设备运行的情况，加强与有关岗位和车间的联系，发现异常现象应及时处理，情况紧急时应中止开车、按程序紧急停车。
5.3 生产装置停车基本要求
5.3.1 应按AQ 3013的规定编制停车方案，操作人员应按照停车方案和操作规程进行操作。用于紧急处理的自动停车联锁装置，不应用于正常停车。
5.3.2 系统降压、降温应按照要求的幅度（速率）并按先高压后低压的顺序进行。凡需保压、保温的设备容器等，停车后要按时记录压力、温度的变化。
5.3.3 压缩机等大型机组的停车，应先停主机后停辅机。
5.3.4 设备（容器）卸压时，要注意易燃、易爆、易中毒等危险化学品的排放和散发，都应进入尾气处理系统，防止造成事故。
5.3.5 冬季停车后，应采取防冻防凝措施。
5.4 三氯氢硅合成
5.4.1 系统开停车
5.4.1.1 硅粉加料
5.4.1.1.1 硅粉下料时应打开除尘装置，控制加料速度，防止粉尘飞扬。操作者应佩戴相应劳动防护用品。
5.4.1.1.2 加料完成后关闭硅粉干燥仓下料阀门。
5.4.1.2 硅粉干燥
5.4.1.2.1 首次开车进氮气前应确保所有相关设备、阀门、管道均已吹扫、试压合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常投用，正常生产过程中持续通氮气干燥。
5.4.1.2.2 电加热器作业规程中应明确升降温速率，电加热设备运行时必须确保有足量的气体流动，避免因为局部过热或过冷造成设备、管道发生泄漏。升、降温速度不能过快，防止设备管道因为短时间内形变过大而造成损坏。
5.4.1.3 氯化氢合成
5.4.1.3.1 首次开车前应确保所有相关设备、阀门、管道持续通氮气干燥。
5.4.1.3.2 系统运行前氢气系统及管道应采用高纯氮气置换、并检测氮中氧以及露点合格，然后才可以采用高纯氢气置换。液氯汽化系统储罐及管道应采用高纯氮气置换、并检测氮中氧以及露点合格，然后采用氯气置换、并检测氯气纯度和含水率合格。
5.4.1.3.3 系统点火及运行中应严格按照工艺操作参数控制，不应超过所规定参数的控制范围。
5.4.1.3.4 氢气泄漏，应立即将泄漏部位与其它部分断开，利用尾气管道泄压，系统压力低于氮气压力后，向系统内通入高纯氮气，降低泄漏物中可燃物质含量，避免发生着火爆炸等次生事故。氯气泄漏，应立即将泄漏部位与其它部分断开，利用尾气管道向事故氯处理系统泄压，向系统内通入高纯氮气，降低泄漏物中有毒有害物质含量，避免发生中毒等次生事故。氯化氢泄漏，应立即将泄漏部位与其它部分断开，利用尾气管道向废气淋洗系统泄压，向系统内通入高纯氮气，降低泄漏物中有毒有害物质含量，避免发生中毒等次生事故。
5.4.1.4 停车排渣
5.4.1.4.1 停车时要遵循“先热后冷”的原则，先停止所有的加热设备，压缩机继续运转，当系统温度降至规定值之下，再停止降温设备和压缩机。
5.4.1.4.2 停车后将系统内剩余物料导出，压力卸为微正压，开始氮气置换。氮气置换合格后，将合成系统与其他系统加盲板断开。
5.4.2 三氯氢硅合成正常运行
5.4.2.1 三氯氢硅合成系统以及相关所有设备管道采用高纯氮气置换、并检测氮中氧以及露点，合格后才能采用高纯氢气置换。
5.4.2.2 应按照工艺技术操作规程的要求逐步开车，注意氯化氢流量及硅粉添加量，反应炉升温速度，防止因为升温过快引起反应炉失去控制，发生事故。在系统开车过程中注意冷热源的投入必须遵循“先冷后热”的原则，先通冷却介质，再通加热介质，在通入热源之前要先进料，应避免加热设备“干烧”的状况。
5.4.2.3 正常运行时突然停水、停电，泵、压缩机、冷冻系统会立刻跳停，三氯氢硅合成压缩前系统压力会迅速升高，应立即开启三氯氢硅合成压缩前系统尾气阀门泄压，停止向三氯氢硅合成系统供料，操作人员严密监控各个参数，一旦出现超压现象应及时泄压。
5.4.2.4 氢气或物料泄漏，应立即将泄漏部位与其它部分断开，利用尾气管道泄压，当系统压力低于氮气系统压力时，向系统内通入高纯氮气，降低泄漏物中可燃物质含量，避免发生着火爆炸等次生事故。
5.4.3 重要参数的控制
5.4.3.1 应严格控制氢气纯度、氯气纯度、硅粉纯度及杂质含量、氯化氢纯度及含水量。
5.4.3.2 应严格控制三氯氢硅合成炉的温度、压力及压差。
5.4.4 异常情况的判断与处理
5.4.4.1 系统发生堵塞：由于反应设备及原料干燥不够，有少量水份就会使合成产品发生水解，积累在管道、阀门、接头及过滤器等处，使系统发生堵塞。通过压差判断堵塞位置，停车检修处理。
5.4.4.2 系统发生泄漏、跑料现象：应进行检查及时处理，如泄漏较大时应停车检修。
5.4.4.3 反应器料层压差变化，多为硅粉料层变化所致，若判断出现严重偏流或死床的情况则应停车处理。换热器物料侧压差持续变大，多为列管堵塞所致，则应停车处理。
5.5 氯硅烷分离
5.5.1 提纯塔开车
5.5.1.1 应用高纯氮气置换提纯塔以及相关所有设备管道，并检测氮中氧和露点合格。
5.5.1.2 应按照工艺技术操作规程的要求逐步开车，注意进料流量，升温升压速度，防止因为升压过快引起塔失去控制，发生事故。在开塔过程中注意，冷热源的投入必须遵循“先冷后热”的原则，先通冷却介质，再通加热介质，在通入热源之前要先进料，应避免加热设备“干烧”的状况。
5.5.2 提纯塔停车
5.5.2.1 提纯塔停车时应遵循“先热后冷”的原则，当提纯塔所有进出料停止，与其他系统断开后，先停止热源，保持冷却水继续运转，待塔内温度降下来、塔压维持稳定后方可关闭冷却循环水。停塔过程中应随时监视塔内压力和温度情况。
5.5.2.2 提纯塔停塔后依据实际情况进行后续处理。如停塔后不需检修且物料没有导出，则要继续监视塔内各个参数，杜绝出现超温超压及负压现象；如需要检修，则应把塔内所有物料导出，高纯氮气置换合格后进行检修。
5.5.3 正常运行操作
5.5.3.1 提纯塔运行中要严格按照工艺操作参数控制，压力、温度、液位、流量等参数不应超过所有参数的控制范围，保证提纯塔物料平衡和能量平衡。
5.5.3.2 提纯塔运行中要观察各参数运行是否异常，对循环水pH值或电导值及系统压力进行在线监测，以确保在换热器泄漏时能够及时发现处理。
5.5.3.3 提纯塔运行过程中要加强对现场的巡检，及时发现事故隐患并及时处理；保证各测压点、测温点、液位计等仪表监控设施的完整性，发现异常及时联系处理。
5.5.4 重要参数控制
5.5.4.1 提纯系统重要压力控制点：塔顶压力、塔釜压力、相关储罐压力。
5.5.4.2 提纯系统重要温度控制点：塔顶温度、塔釜温度、塔中温度、循环水回水温度。
5.5.4.3 提纯系统重要流量控制点：进出料流量、热源流量。
5.5.4.4 提纯系统重要液位控制点：塔釜液位、相关储罐液位。
5.5.5 异常情况的判断与处理
5.5.5.1 提纯塔物料泄漏：提纯塔运行中如果出现泄漏时应立即采取停塔处理措施，停止加热，停止进出料，将塔内物料退至应急储罐，打开尾气阀门泄压，如果条件允许，可使用带压堵漏工具对泄漏部位进行封堵，否则待压力降低后将塔内物料导出，高纯氮气置换，分析合格后再对泄漏部位进行处理。
5.5.5.2 相关水换热器泄漏
5.5.5.2.1 水泄漏进氯硅烷中：运行中一旦发现塔内压力在热量、冷量未变化的情况下迅速升高，应立即对该塔进行全面排查，若确认为换热器泄漏，应立即将换热器水路进、回水阀门关闭，换热器内部水排出，塔内氯硅烷全部导出，然后用氮气置换，待氮气置换合格后对相应设备进行检修。
5.5.5.2.2 氯硅烷泄漏进水中：运行中一旦发现换热器回水的pH值降低、电导值升高，Clˉ浓度升高，确定换热器泄漏，应立即停塔，关闭热源，根据塔压力变化，将换热器水路进回水阀门关闭，换热器内部水排出，塔内氯硅烷全部导出，然后用氮气置换，待氮气置换合格后对相应设备进行检修。
5.6 三氯氢硅还原
5.6.1 系统开车
5.6.1.1 开车前要确保各种电气、仪表设备经校验合格并正常投用。
5.6.1.2 应按照工艺技术操作规程的要求逐步开车，硅芯高压击穿时人员禁止触摸还原炉及与其相连的任何管路设施；启炉成功后注意进料流量、升温升压速度的平稳控制，防止因为升压过快出现泄漏事故。
5.6.1.3 开车过程中，现场巡检监护人员应携带便携式可燃性气体报警仪、防毒面具、防爆对讲机等，一旦检测到有泄漏状况，在采取自我防护措施的前提下，及时与中控室取得联系，并服从指挥，按照应急预案进行处理。
5.6.2 系统停车。
还原炉停混合气后，应先通氢气进行置换，硅棒断电后，应待还原炉出气温度降低至150℃以下再通入氮气进行置换。
5.6.3 正常运行操作
5.6.3.1 建立巡检监测制度：及时巡检炉内情况，并监测炉内压力，进出气温度、压力变化；适时检查还原炉连接电缆、接头等运行状况，防止过热烧红现象发生。发现异常，按应急预案进行处理。
5.6.3.2 定时进行巡检，记录工艺运行参数，并比照前后运行参数，防止系统出现异常。
5.6.4 还原电气设备
5.6.4.1 还原高压击穿系统与低压调功系统可靠电气联锁。
5.6.4.2 还原电气装置应有硅棒接地报警，预防在运行过程中硅棒靠炉壁生长烧坏炉筒，使冷却介质进入物料系统酿成大事故。
5.6.4.3 还原调功装置报警显示可控硅冷却水泄漏，必须切断主电源。
5.6.4.4 还原电气装置应有过流，短路等保护，保证设备安全。
5.6.4.5 还原炉停止运行期间，还原主变电源应彻底有效断开，保证拆装炉操作的安全。
5.7 还原尾气干法回收
5.7.1 系统开车
5.7.1.1 所有相关设备管道应采用高纯氮气置换、并检测氮中氧以及露点合格，然后才能采用高纯氢气置换和进料。氮气置换时采用单点充压，多点顶部泄压的方式进行，泄压速度参照国家标准；氢气置换采用单点充压，多点底部泄压的方式进行，泄压速度要缓慢。
5.7.1.2 氮气置换合格后，进行氢气置换，合格后进行氢气联动试车，检查系统运行情况。
5.7.1.3 干法回收系统进料后，循环降温的过程中要加强现场巡检，对低温设备螺栓进行检查紧固，防止因为系统温度降低造成的泄漏。降温过程中严格控制降温速度，防止低于设备承受温度而发生的设备损坏。
5.7.2 系统停车
5.7.2.1 干法回收系统停车过程中，要注意各参数是否异常，特别是鼓泡淋洗系统和脱吸塔压力是否异常（不能超过系统设定压力），随时做好泄压的准备。
5.7.2.2 停车之后，注意各设备液位，防止液位超出监控范围。
5.7.3 正常运行操作。
5.7.3.1 在干法回收系统运行期间，操作者要确保鼓泡淋洗系统压力、温度；吸收部分压力、温度；各个液位等参数都保持在正常范围内。动设备操作人员要监控好泵的正常运行和压缩机、冷冻系统的进出口温度、压力、油位等指标。
5.7.3.2 加强现场巡检，及时发现事故隐患并及时处理；保证各测压点、测温点、液位计等仪表监控设施的完整性，发现异常及时联系处理。
5.7.3.3 运行中应定时对系统中各物料进行检测（成分、杂质），通过检测结果对控制参数进行适当的调整，以优化系统的运行。
5.7.4 重要参数的控制
5.7.4.1 还原尾气干法回收系统重要压力控制点：压缩机进口压力、出口压力。
5.7.4.2 还原尾气干法回收系统重要温度控制点：吸收液温度、分离塔釜温度。
5.7.4.3 还原尾气干法回收系统重要流量控制点：氯硅烷循环量、装置再生气流量。
5.7.4.4 还原尾气干法回收系统重要液位控制点：吸收塔液位、分离塔液位。
5.7.5 异常情况判断及处理
5.7.5.1 正常运行时突然停水、停电，泵、压缩机、冷冻系统会立刻跳停，会造成吸收塔、吸附柱、氢气缓冲罐的高压气体反窜至冷凝系统，导致压力迅速升高，应设置紧急切断阀门或止逆设备，防止气体反窜。操作人员严密监控各个参数，现场安排专人负责，一旦出现超压现象应及时泄压。
5.7.5.2 氢气或物料泄漏，应立即将泄漏部位与其它部分断开，利用尾气管道泄压；当系统压力低于氮气系统压力时，向系统内通入高纯氮气，降低泄漏物中可燃物质含量，避免发生着火、爆炸等次生事故。
5.7.5.3 系统正常运行，压力突然升高或降低，可能是阀门没有关严或内漏，应排查高低压之间的连通阀门，及时消除隐患。
5.7.5.4 系统正常运行，温度突然升高或降低，应检查相应的冷源或热源阀门、压力，及时调整。
5.8 四氯化硅冷氢化
5.8.1 系统开停车
5.8.1.1 系统开车准备硅粉与触媒下料时应打开除尘装置，控制加料速度，防止固体粉尘飞扬。操作者应佩戴相关劳动防护用品。
5.8.1.2 进氢气前要确保所有相关设备、阀门、管道均已打压检漏吹扫合格，各种仪表监控装置经校验合格并正常投用。
5.8.1.3 系统正常开车升温过程要严格监控系统各参数的变化情况，升温速度不能过快，防止设备管道因为短时间内形变过大而造成的损坏，直至达到设定温度和压力后，系统进料正常运行，同时到达一定温度后对法兰进行热紧。运行过程使用高纯氢气将最后一级硅粉加料罐中硅粉推送进入流化床。
5.8.1.4 系统停车检修。停车时要遵循“先热后冷”的原则，控制电加热器降温速率，保持氢气压缩机运行，当系统温度降至规定值之下，再停止降温设备和压缩机；停车后将系统内剩余物料导出，压力降为微正压，氮气置换。氮气置换合格后，将氢化系统与其他系统加盲板断开，按照检修方案进行检修。
5.8.2 正常运行操作
5.8.2.1 严格执行循环氢气压缩机倒机操作，尽量减小系统压力波动，避免出现局部塌床，流化床分布器压差异常。
5.8.2.2 严格控制洗涤塔底部温度，按操作规程进行排渣操作，避免塔底堵塞。
5.8.3 重要参数的控制
5.8.3.1 氢化系统重要压力控制点：压缩机进口缓冲罐压力、压缩机出口缓冲罐压力、反应器压力、冷却器压力、出料罐压力。
5.8.3.2 氢化系统重要温度控制点：电加热器出口温度、洗涤塔温度、反应器温度、换热器温度、冷凝料温度。
5.8.3.3 氢化系统重要流量控制点：进料流量、补氢流量、循环流量、出料流量、氯化氢流量（氯氢化工艺）。
5.8.3.4 氢化系统重要液位控制点：混合器液位、冷凝料液位。
5.8.4 异常情况的判断与处理
5.8.4.1 反应器外排的废硅粉发生着火时，应及时转移至空旷地带并采用干砂覆盖的方式进行灭火。
5.8.4.2 氢化系统运行中发生泄漏着火时，要立即停止所有运行设备，切断物料、氢气来源，利用各个尾气点泄压，同时保证系统内为正压，防止回火，当系统压力低于氮气管网压力时及时充氮气灭火。
5.9二氯二氢硅反歧化
5.9.1 系统开车
5.9.1.1树脂干燥包括以下两种方法：
a）方法一：树脂干燥前应采用高纯氮气置换、并检测反应柱中氮中氧以及露点合格，树脂装填量应按照树脂的膨胀系数进行换算后进行装填，树脂装填完成后应进行反应柱或反应器的升压查漏，查漏完成后利用氮气进行树脂干燥（干燥氮气的温度不超过树脂设计的温度），树脂干燥合格后使用少量气相四氯化硅进行树脂活化，待反应柱温度稳定不上涨时缓慢通入液相四氯化硅进行浸泡；
b）方法二：树脂干燥前确认干燥罐安全附件完好并投用，吹扫气密合格，露点合格。干燥罐树脂装填量应按照树脂的膨胀系数进行换算后进行装填，树脂填装完成后，用高纯氮气进行树脂干燥（干燥氮气的温度不超过树脂设计的温度）。树脂干燥过程中，取树脂水分样、干燥罐含氧和露点，取样合格后，缓慢将树脂从干燥罐压至含有液相四氯化硅的反应柱中进行树脂活化，过程中注意温度和压力的涨幅，待干燥罐树脂压空后，树脂在反应柱内四氯化硅浸泡时间宜大于24小时后投入使用。
5.9.1.2 系统正常开车：系统先投用循环水等冷媒，用纯四氯化硅进行液相循环，循环完成后按照操作规程要求进行进料，逐步投用蒸汽，将系统的温度、压力、液位等指标调至正常值。
5.9.2 系统停车
5.9.2.1 停止反歧化的加热蒸汽及冷却循环水，停止反歧化的进料及采出，从反应柱底部将大部分的物料退出系统。
5.9.2.2 停运的反应柱严格控制压力及温度，防止剩余物料发生歧化反应导致设备超压。
5.9.3 系统运行
5.9.3.1 树脂运行按照工艺操作规程（或作业指导书）规定的温度、压力、流量、液位进行控制。
5.9.3.2 加强现场巡检，发现事故隐患并及时处理；保证各测压点、测温点、液位计等仪表监控设施的完整性，发现异常及时联系处理。
5.9.4 重要参数的控制
反应柱重要参数包括：
a)反应柱压力；
b)反应柱进口流量；
c)反应柱运行温度；
d)反应柱压差。
5.9.5 异常情况的判断与处理
5.9.5.1 树脂干燥及活化过程反应柱温度上涨过快需要停止进料，将反应柱内的氯硅烷及时排除并用冷氮气进行降温。
5.9.5.2 树脂卸放过程出现燃烧需要保持反应柱的微正压防止回火，同时利用干粉灭火器、二氧化碳灭火器或氮气及时扑救。
5.10废气淋洗
5.10.1 淋洗塔开车
5.10.1.1 应用高纯氮气置换淋洗塔以及相关所有设备管道，并检测氮中氧和露点合格。
5.10.1.2 应先启动喷淋泵，建立液相循环，再逐步并入废气，注意进气流量，及喷淋流量，防止因为淋洗不完全发生环保事故和火灾事故。
5.10.2淋洗塔停车
5.10.2.1 淋洗塔停车时应遵循“先停气后停水”的原则，当淋洗塔进气停止后，废气缓冲罐压力平稳后停喷淋水，停塔过程中应随时监控废气缓冲罐压力情况。
5.10.2.2 淋洗塔停塔后依据实际情况进行后续处理。如停塔后不需检修且物料没有导出，则要通入氮气且保持微正压；如需要检修，则应把塔相连的物料管道进行盲板隔离，高纯氮气置换合格后进行检修。
5.10.3 正常运行操作
5.10.3.1 淋洗塔运行中要严格按照工艺操作参数控制，压力、温度、液位、流量等参数不应超过所有参数的控制范围。
5.10.3.2 淋洗塔运行中重点关注压力是否偏高，判断淋洗塔喷嘴堵塞或塔体连通管堵塞时，应立即倒换至备用塔，检修清理。
5.10.3.3 淋洗塔运行过程中要加强对现场的巡检，及时发现事故隐患并及时处理；保证各测压点、测温点、液位计等仪表监控设施的完整性，发现异常及时联系处理。
5.10.4重要参数控制
5.10.4.1 废气淋洗系统重要压力控制点：废气缓冲罐压力、淋洗塔压力。
5.10.4.2 废气淋洗系统重要流量控制点：喷淋水流量。
5.10.4.3 废气淋洗系统重要液位控制点：酸水池液位、液封槽液位。
5.10.5 异常情况的判断与处理
5.10.5.1 淋洗塔泄漏：淋洗塔运行中如果出现泄漏时应立即采取停塔处理措施，停止废气进入塔内，停止喷淋水进入塔内，打开氮气阀门置换系统，分析合格后再对泄漏部位进行处理。
本标准第4、5章中并没有使用“多晶硅还原炉”这个术语，而是多次使用了“还原炉”。建议：该条术语改为“还原炉”。
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